Surface nano-structuration of 4H-SiC by controlled high-temperature annealing - Université de technologie de Troyes
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Surface nano-structuration of 4H-SiC by controlled high-temperature annealing

Nanostructuration de la surface de 4H-SiC par recuit haute-température contrôlé

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique / photonique
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Soumis le : mercredi 26 juillet 2023-15:40:59

Dernière modification le : vendredi 1 mars 2024-17:57:38

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Dates et versions

hal-04171629 , version 1 (26-07-2023)

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Identifiants

  • HAL Id : hal-04171629 , version 1

Citer

Enora Marion Vuillermet, Elise Usureau, Régis Deturche, Mihai Lazar. Surface nano-structuration of 4H-SiC by controlled high-temperature annealing. The 6th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD 2023), Jun 2023, Metz, France. ⟨hal-04171629⟩

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